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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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CRF等離子表面處理機(jī)清洗雜質(zhì)有哪些分類

CRF等離子表面處理機(jī)清洗雜質(zhì)有哪些分類:
       半導(dǎo)體制造需要一些有機(jī)物和無機(jī)物的參與。此外,由于工藝總是在潔凈室進(jìn)行,半導(dǎo)體芯片不可避免地會被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來源和性質(zhì),大致可分為顆粒物、有機(jī)物、金屬離子和氧化物四類。

等離子表面處理機(jī)

一、顆粒物
       顆粒主要是聚合物、光耐腐蝕劑和腐蝕雜質(zhì)。該污染物通常被吸附在芯片表面,影響設(shè)備的幾何形狀和光刻過程中的電氣參數(shù)。這種去除污染物的方法主要是通過物理或化學(xué)方法清潔顆粒,逐漸減少顆粒與芯片表面的接觸面積,然后去除顆粒。
二、有機(jī)物:
       皮膚油、細(xì)菌、發(fā)動機(jī)油、真空潤滑脂、光刻膠、清潔溶劑等有機(jī)雜質(zhì)來源廣泛。這種污染物通常在晶圓表面形成有機(jī)膜,防止清潔液到達(dá)晶圓表面,導(dǎo)致晶圓表面清潔不徹底,從而保持晶圓表面的金屬雜質(zhì)等污染物完好無損。硫酸和過氧化氫通常用于去除這些污染物的初始階段。
三.金屬
      半導(dǎo)體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質(zhì)的來源主要包括半導(dǎo)體晶圓加工過程中的各種容器、管道、化學(xué)試劑和金屬污染。這些雜質(zhì)通常通過化學(xué)方法去除。由各種試劑和化學(xué)物質(zhì)制成的清洗液與金屬離子發(fā)生反應(yīng),形成與芯片表面分離的金屬離子絡(luò)合物。
四、氧化物:
        暴露在O2和H2O中的半導(dǎo)體芯片表面形成天然氧化物層。這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟,而且還含有一些金屬雜質(zhì),可以在一定條件下轉(zhuǎn)移到芯片上,形成電缺陷。這種氧化膜通常通過浸泡在稀氫氟酸中來去除。
       在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,幾乎每個過程都需要清洗,晶圓清洗的質(zhì)量嚴(yán)重影響了設(shè)備的性能。由于晶圓清洗是半導(dǎo)體制造過程中非常重要和頻繁的一步,其工藝質(zhì)量將直接影響設(shè)備的成品率、性能和可靠性,國內(nèi)外主要公司和研究機(jī)構(gòu)都在不斷研究清洗過程。CRF等離子表面處理機(jī)清洗作為一種先進(jìn)的干洗技術(shù),具有綠色、環(huán)保、生態(tài)、環(huán)保的特點(diǎn)。隨著微電子工業(yè)的快速發(fā)展,CRF等離子表面處理機(jī)在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。

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